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ON FDC3601N
N-channel MOSFET Transistor with 1A current rating and 100V voltage capability in a 6-pin SSOT package
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDC3601N
Datenblatt: FDC3601N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SSOT-6
Produktart: MOSFET
RoHS-Status:
Lagerzustand: 15000 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDC3601N Allgemeine Beschreibung
MOSFET, DUAL, N, SMD, SSOT-6; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.6V; Power Dissipation Pd: 960mW; Transistor Case Style: SuperSOT; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Continuous Drain Current Id, N Channel: 1A; Current Id Max: 1A; Drain Source Voltage Vds, N Channel: 100V; Module Configuration: Dual; On Resistance Rds(on), N Channel: 0.37ohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 2.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Funktionen
- 1.0 A, 100 V
- RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V
- RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
- Low gate charge (3.7nC typical)
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- SuperSOT™-6 package: small footprint 72%(smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 960 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDC3601N | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.6 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 4 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | FDC3601N_NL |
| Unit Weight | 0.001270 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDC3601N chip is a highly integrated capacitive touch controller designed for touch panels in consumer electronics. Its advanced features include high sensitivity, low power consumption, and noise immunity, making it suitable for applications such as smartphones, tablets, and wearables. With its compact size and easy integration, the FDC3601N chip enables responsive and reliable touch control functionalities in various devices.
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Features
FDC3601N is a MOSFET transistor with low on-resistance, high drain-source voltage, and high current capabilities. It is designed for high-speed switching applications and offers low power dissipation and excellent thermal characteristics. The transistor also features low gate charge, making it suitable for a wide range of power management applications. -
Pinout
The FDC3601N is a 44-pin integrated circuit (IC) used as a display driver for liquid crystal displays (LCDs) in mobile devices. It provides multiple functions such as row and column drivers, voltage boosting, and gamma correction. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDC3601N is Fairchild Semiconductor. It is a company that specializes in the design, development, and manufacture of power semiconductor devices. -
Application Field
The FDC3601N is a high-voltage amplifier used for driving capacitive loads, making it suitable for applications in industrial automation, automotive systems, and medical equipment. It can also be used in audio systems, control systems, and power management circuits, providing accurate signal amplification and voltage regulation. -
Package
The FDC3601N chip has a package type of WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package), a form factor of 4-bump, and a size of 0.97mm × 1.47mm.
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