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ON FDC6321C
Mosfet Array 25V 680mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Marken: ON
Herstellerteil #: FDC6321C
Datenblatt: FDC6321C Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT23-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3000 Stück, Neues Original
Produktart: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,373 | $0,373 |
| 10 | $0,305 | $3,050 |
| 30 | $0,275 | $8,250 |
| 100 | $0,238 | $23,800 |
| 500 | $0,222 | $111,000 |
| 1000 | $0,214 | $214,000 |
In Stock:3000 PCS
FDC6321C Allgemeine Beschreibung
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this dual digital FET can replace several digital transistors with different bias resistors.
Funktionen
- N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits. VGS(th) < 1.0V.
- Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model
- Replace multiple dual NPN & PNP digital transistors.
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current | 680 mA, 460 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 650 mV, 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 2.3 nC, 1.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 900 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | FDC6321C |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Dual |
| Fall Time | 8 ns, 9 ns | Forward Transconductance - Min | 1.45 S, 0.8 S |
| Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 8 ns, 9 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns, 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns, 7 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | FDC6321C_NL |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDC6321C chip is an integrated circuit that combines an analog front end with a digital interface for capacitance-to-digital conversion. It is used for proximity sensing, touch detection, and liquid level sensing applications. The chip provides accurate and stable measurements with low power consumption, making it suitable for various industrial and consumer electronic devices.
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Features
The FDC6321C features a low on-resistance, allowing for efficient power handling. It has a low gate charge, enabling quick switching performance. The device also boasts a low threshold voltage, making it ideal for low-voltage applications. Offering high electrical performance in a compact form factor, the FDC6321C is suitable for a range of power control applications. -
Pinout
The FDC6321C is a dual-channel power MOSFET driver. It has 8 pins (VCC, GND, IN1, IN2, OUT1, OUT2, UVLO, and VDS). Its main function is to provide a high voltage and high current drive capability to switch power MOSFETs in various applications, such as DC-DC converters, motor drivers, and inverters. -
Manufacturer
The FDC6321C is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and production of a wide range of semiconductor devices. They provide innovative solutions for various industries, including automotive, consumer electronics, telecommunications, and more. -
Application Field
The FDC6321C is a high-precision capacitance-to-digital converter that can be used in a variety of applications, including touch sensing, level sensing, proximity sensing, and liquid and gas flow sensing. It can also be used in industrial automation, consumer electronics, automotive, and medical devices. -
Package
The FDC6321C chip is available in a SOT-23-6 package, which has 6 surface-mount pins.
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