Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

ON FDMS3572

FDMS3572 is an N-channel MOSFET boasting an 80V UltraFET PowerTrench design

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FDMS3572

Datenblatt: FDMS3572 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: Power-56-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3357 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für FDMS3572 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

FDMS3572 Allgemeine Beschreibung

UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.

fdms3572

Funktionen

  • Max rDS(on) = 16.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8.8 A
  • Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8.4 A
  • Typ Qg = 28 nC at VGS = 10 V
  • Low Miller Charge
  • Optimized efficiency at high frequencies
  • RoHS Compliant

Anwendung

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case Power-56-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V
Id - Continuous Drain Current 8.8 A Rds On - Drain-Source Resistance 16.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 28 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename UltraFET
Series FDMS3572 Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 12 ns
Height 0.8 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 24 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.007408 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • FDMS3572 is a power management chip from Fairchild Semiconductor that offers high-efficiency and reliability in various applications. It can handle large currents and voltage levels, making it suitable for power systems in consumer electronics, telecommunications, and industrial devices. The chip incorporates features for protection against overcurrent, overvoltage, and overtemperature conditions, ensuring safe and efficient operation.
  • Features

    The FDMS3572 is a single N-channel MOSFET with a high forward bias safe operating area (FBSOA) for applications in power management. It offers a low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for various portable and industrial devices requiring efficient power conversion.
  • Pinout

    The FDMS3572 is a power MOSFET. It has a pin count of 8. The functions of its pins include gate drive, source, drain, and body connection.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDMS3572 is Fujitsu. Fujitsu is a Japanese multinational technology company that specializes in providing IT services, software, and hardware solutions. It is known for its range of products including personal computers, servers, storage devices, telecommunications equipment, and microelectronics.
  • Application Field

    The FDMS3572 is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and high-frequency inverters. It is particularly suitable for applications requiring high power density and efficiency due to its advanced features like low on-resistance, fast switching speed, and thermal stability.
  • Package

    The FDMS3572 chip is available in a PQFN (Power Quad Flat No-Lead) package type. Its form is IC (integrated circuit) and its size is around 6mm x 5mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FDMS3572 PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...