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ON FDT457N
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDT457N
Datenblatt: FDT457N Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3784 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDT457N Allgemeine Beschreibung
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Funktionen
- 5 A, 30 V
RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V - High density cell design for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDT457N | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 318H-01 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 5 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.06 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 3 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 16 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Pin Count | 4 | Package Category | Other |
| Released Date | Oct 3, 2022 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDT457N chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that operates as a high-speed switching device. It is commonly used in applications where efficient power management is required, such as in motor control, LED lighting, and power supplies. The chip offers low on-resistance and low gate charge, making it suitable for high-current and high-frequency applications.
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Features
The FDT457N is not a specific product or model that can be identified. It is likely a typo or an incorrect reference. Please provide more information or correct the model number to receive relevant features. -
Pinout
The FDT457N is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has three pins including gate, drain, and source. The pin count is 3 and the function of each pin is as follows: 1. Gate: Controls the flow of current through the transistor 2. Drain: Current flows out of the transistor through this pin 3. Source: Current flows into the transistor through this pin. -
Application Field
The FDT457N is commonly used in power electronics applications such as switch-mode power supplies, motor control systems, and industrial automation. It is specifically designed for high-current switching applications and provides efficient power management in various electronic devices. -
Package
The FDT457N chip has a surface mount package type with a form factor of SOT-223. Its size is typically 6.70mm (length) x 6.70mm (width) x 2.30mm (height).
Datenblatt PDF
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