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vishay SI2347DS-T1-GE3
-30V P-MOSFET transistor with unipolar operation and -5A current rating, featuring peak current handling up to -20A and power dissipation of 1
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2347DS-T1-GE3
Datenblatt: SI2347DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6000 Stück, Neues Original
Produktart: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,133 | $0,665 |
| 50 | $0,117 | $5,850 |
| 150 | $0,109 | $16,350 |
| 500 | $0,092 | $46,000 |
| 3000 | $0,088 | $264,000 |
| 6000 | $0,085 | $510,000 |
In Stock:6000 PCS
SI2347DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Funktionen
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 6.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 6 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2347DS-T1-BE3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI2347DS-T1-GE3 chip is an electronic component used in various applications. It is a high-performance N-Channel MOSFET that is designed to enhance power efficiency and minimize space requirements. This chip offers low ON-resistance and high-speed switching, making it suitable for use in power management circuits, motor control systems, and other electronic devices that require efficient power handling.
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Equivalent
An equivalent product of the SI2347DS-T1-GE3 chip is the SI2347DS-T1-GE3R chip. -
Features
The features of SI2347DS-T1-GE3 include a low on-resistance, low charge gate, high-speed switching, low capacitance, and N-channel TrenchFET. It is designed to provide efficient power management and secure high-performance in a small package. -
Pinout
The SI2347DS-T1-GE3 is a 47-pin integrated circuit (IC). It functions as an N-MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that enables power management and control in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2347DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in designing, manufacturing, and supplying a wide range of discrete semiconductors and passive components. They offer innovative solutions for various industries including automotive, industrial, consumer electronics, telecommunications, and more. -
Application Field
The SI2347DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET used primarily in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It offers low on-resistance, high current capacity, and fast switching capabilities, making it suitable for various power management systems. -
Package
The SI2347DS-T1-GE3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm x 1mm.
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