Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
ON HUF75344G3
N-Channel 55 V 75A (Tc) 285W (Tc) Through Hole TO-247-3
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: HUF75344G3
Datenblatt: HUF75344G3 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2893 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
BOMHUF75344G3 Allgemeine Beschreibung
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75344.
Funktionen
- 75A, 55V
- Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™Models
- Thermal Impedance PSPICE and SABER Models
- Peak Current vs Pulse Width Curve
- UIS Rating Curve
- Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”
Anwendung
- Other Audio & Video
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V | Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 210 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 285 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | UltraFET | Series: | HUF75344G3 |
| Packaging: | Tube | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 57 ns |
| Height: | 20.82 mm | Length: | 15.87 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 125 ns |
| Factory Pack Quantity: | 450 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Width: | 4.82 mm | Part # Aliases: | HUF75344G3_NL |
| Unit Weight: | 0.211644 oz | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | Si | feature-process-technology | UltraFET |
| feature-configuration | Single | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 55 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 4 | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 75 |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 8@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 175@20V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 3200@25V | |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 285000 | |
| feature-packaging | Tube | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-247 |
| feature-standard-package-name1 | TO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The HUF75344G3 is a power MOSFET chip utilized in electronic devices for controlling and switching high current loads. It is designed to handle high voltage and current levels efficiently, serving as a reliable component in various applications such as power supplies, motor control circuits, and automotive systems. The chip's advanced features make it an integral part of electronic designs requiring robust and efficient power management.
-
Features
The HUF75344G3 is a high-voltage MOSFET transistor with a low on-resistance and fast switching speed. It has a drain-source voltage rating of 55V and a continuous drain current of 75A. The transistor is designed for use in power conversion and motor control applications. -
Pinout
The HUF75344G3 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is designed for low on-resistance and fast switching. The pin functions typically include gate, source, and drain connections for controlling the flow of current in a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the HUF75344G3 is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of electronic components and systems. -
Application Field
The HUF75344G3 is a high voltage MOSFET that is commonly used in applications such as power supplies, motor control, lighting, and switching circuits. It can handle high voltage and current levels, making it suitable for various industrial and automotive applications. -
Package
The HUF75344G3 chip has a package type of TO-247, a form of N-Channel, and a size of 8.65mm x 19.3mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
Consistently high-quality components from Ovaga. They make my job easier!