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Infineon IPD050N10N5

Name: IPD050N10N5
Rating: 4.5 (4 reviews)

TO-252-3 MOSFETs ROHS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IPD050N10N5

Datenblatt: IPD050N10N5 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: DPAK (TO-252)

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2660 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge	Einzelpreis	Ext. Preis
1	$4,691	$4,691
10	$4,093	$40,930
30	$3,729	$111,870
100	$3,422	$342,200

In Stock:2660 PCS

- +

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Anmerkung

IPD050N10N5 Allgemeine Beschreibung

OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPD050N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices, one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Funktionen

It has a drain-source voltage (VDS) rating of 100V.
It can handle a continuous drain current (ID) of 50A.
It has a low on-resistance (RDS(on)) of 5 mOhm, which means it can conduct current with low power loss.
It is designed to operate at high switching frequencies, which makes it suitable for various power electronics applications.

Anwendung

DC-DC converters and switching regulators
Motor control
Solar power inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Battery management systems
Electric vehicle (EV) charging stations

Spezifikationen

Parameter	Wert	Parameter	Wert
IDpuls max	320.0 A	Mounting	SMD
Ptot max	150.0 W	Package	DPAK (TO-252)
Polarity	N	RthJA max	75.0 K/W
RthJC max	1.0 K/W	VDS max	100.0 V
RDS (on) max	5.0 mΩ	ID max	80.0 A
VGS(th) max	3.8 V	VGS(th) min	2.2 V
Operating Temperature max	175.0 °C

Versand

	Versandgebühr	Vorlaufzeit
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen		Handgebühr
	Banküberweisung	Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
	Paypal	4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
	Kreditkarte	3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Geldgramm	Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

Schritt1 :Produkt
Schritt2 :Vakuumverpackung
Schritt3 :Antistatikbeutel
Schritt4 :Individuelle Verpackung
Schritt5 :Verpackungskartons
Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

Äquivalente Teile

Für den IPD050N10N5 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Marken

Paket

Beschreibung

Artikelnummer : IRF3710ZPBF

Marken :

Paket : TO-220AB

Beschreibung : N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V

Artikelnummer : IRFP260NPBF

Marken :

Paket : TO-247AC

Beschreibung : MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

Artikelnummer : FDPF50N06

Marken :

Paket :

Beschreibung :

Artikelnummer : RFP50N06

Marken :

Paket : TO-220AB

Beschreibung : N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):22mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:-

Artikelnummer : STW50NM50N

Marken :

Paket :

Beschreibung :

Teilpunkte

The IPD050N10N5 is a power MOSFET chip developed by Infineon Technologies. It is designed for use in various power conversion applications, offering low on-resistance, high efficiency, and high reliability. Its compact size and high performance make it suitable for use in a wide range of electronic devices and systems.
Equivalent

The equivalent products of IPD050N10N5 chip are Infineon BSC050N10NS5 and STMicroelectronics STL007PN10N5. They are both N-channel enhancement mode power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

1. N-channel MOSFET transistor 2. Low on-resistance: 50 mΩ 3. 100V drain-source voltage rating 4. 5A continuous drain current 5. Suitable for high power applications such as motor control and power supplies.
Pinout

The IPD050N10N5 has a pin count of 3 and functions as a N-channel power MOSFET transistor. It is designed for high-speed switching applications and offers a low ON resistance for efficient power management.
Manufacturer

The manufacturer of the IPD050N10N5 is Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon Technologies AG specializes in the development and production of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is known for its high-quality, innovative products that help drive technological advancements in the market.
Application Field

The IPD050N10N5 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and battery management systems. It is suitable for applications requiring high efficiency, low power dissipation, and high current handling capabilities.
Package

The IPD050N10N5 chip is a MOSFET transistor packaged in a TO-252 form with a standard 3-pin configuration. It has a size of 6.7mm x 6.7mm and a thickness of 3mm.

IPP60R180C7

Infineon

IPD042P03L3 G

Infineon

IPB015N08N5ATMA1

Infineon

IPB017N10N5LFATMA1

Infineon

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon

IPB180N03S4L-H0

infineon

IPA60R190P6

infineon

IPA60R180P7S

INFINEON

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IPD050N10N5 PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

K***y Nov 23, 2023

Smooth ordering process, but shipping took a while

C***s Jul 20, 2023

Ovaga's electronic components are of the highest quality and perform beyond expectations.

M***i Dec 19, 2020

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D***o May 31, 2020

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