Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Infineon IPD110N12N3GATMA1
Power Field-Effect Transistor
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPD110N12N3GATMA1
Datenblatt: IPD110N12N3GATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TO252-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3933 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,901 | $1,901 |
| 10 | $1,674 | $16,740 |
| 30 | $1,532 | $45,960 |
| 100 | $1,195 | $119,500 |
| 500 | $1,130 | $565,000 |
| 1000 | $1,102 | $1102,000 |
In Stock:3933 PCS
IPD110N12N3GATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPD110N12N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It belongs to the OptiMOS 5 family of power MOSFETs, which are designed to provide low on-state resistance and high system efficiency in a wide range of applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.The IPD110N12N3GATMA1 features a drain-source voltage of 120V, a continuous drain current of 110A, and a low on-resistance of 3mΩ. This MOSFET is housed in a TO-252 package, which is a small surface-mount package that allows for easy integration into PCB designs.One of the key features of the IPD110N12N3GATMA1 is its low gate charge, which enables fast switching speeds and efficient operation. This, combined with its low on-resistance, helps to minimize power losses and improve overall system performance.Additionally, this MOSFET is RoHS compliant, making it environmentally friendly and suitable for use in applications that require compliance with environmental regulations.
Funktionen
- 100V, 110A N-channel power MOSFET
- Low on-resistance RDS(on) of 6.5 mΩ
- Enhanced switching performance
- Optimized for high-current applications
- Advanced Trench Technology
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
- Qualified according to AEC Q101
- RoHS compliant
Anwendung
- Automotive industry - used in electric vehicle powertrains, battery management systems, and charging stations
- Industrial automation - for motor control, power supplies, and robotics
- Solar energy - in inverters and power optimizers
- Telecommunications - for power amplifiers and base station power supplies
- Military and aerospace - in radar systems and electronic warfare applications
- Consumer electronics - for portable devices and home appliances
- Medical devices - in imaging systems and surgical equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | N59 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TO252-3 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001127808 |
| fourBlockPackageName | PG-TO252-3-313 | rohsCompliant | yes |
| opn | IPD110N12N3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001127808 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPD110N12N3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for use in automotive applications. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 110A. This chip offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for use in electric vehicles and other power electronics systems.
-
Equivalent
An equivalent product of the IPD110N12N3GATMA1 chip is the FDP110N12N3GATM. -
Features
The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET transistor that is low on-resistance, suitable for high-current applications. It features a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, making it appropriate for various power conversion and control applications. -
Pinout
The IPD110N12N3GATMA1 has a pin count of 8. It is a power MOSFET that has a drain, source, and gate terminal. It is designed for applications requiring high power and efficiency in a compact package. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD110N12N3GATMA1 is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company specializing in design, production, and marketing of various semiconductor solutions. Infineon Technologies primarily operates in the fields of automotive, industrial, power, and security applications, providing innovative products and technologies to customers worldwide. -
Application Field
The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for various applications where high power and low on-resistance are required. It can be used in areas such as power supplies, motor control systems, DC-DC converters, and other high-power switching applications. -
Package
The IPD110N12N3GATMA1 chip comes in a TO-252-3 package type, also known as DPAK (Plastic-Encapsulated Transistor). The form is a surface mount. Its size is compact, measuring approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.5mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
Empfehlen
-
![BSZ146N10LS5ATMA1]()
-
![BSZ096N10LS5ATMA1]()
-
![IRFB4410ZPBF]()
-
![BSC070N10NS5ATMA1]()
-
![ISC060N10NM6ATMA1]()
-
![IRFH5010TRPBF]()
Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
Limited amounts of stock available.