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$5000IXFP7N100P
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFP7N100P
Datenblatt: IXFP7N100P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.754 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFP7N100P Allgemeine Beschreibung
One key advantage of IXFP7N100P is its low RDS(on), which means it offers minimal resistance and therefore leads to lower power dissipation. This not only improves overall efficiency but also helps reduce heat generation in the system. Additionally, this HiPerFET boasts low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability, all of which contribute to its superior performance in demanding applications
Funktionen
- Safe Operating Area
- Soft Start Function
- Overcurrent Protection
- Undervoltage Lockout
- High Overload Capability
Anwendung
- High-efficiency power architectures
- Optimized battery charging algorithms
- Dynamic motor speed control features
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2590 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 | Package / Case | TO-220-3 |
| Base Product Number | IXFP7N100 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFP7N100P is a high voltage MOSFET power transistor designed for use in power supply applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a continuous drain current rating of 7A. With a low on-resistance and fast switching speeds, the IXFP7N100P is ideal for high power and efficiency requirements in various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFP7N100P chip are FDPF7N1PZ, IRFP460, and MTP7N100E. These are similar power MOSFETs with comparable specifications and performance. -
Features
The IXFP7N100P is a high voltage power MOSFET with a breakdown voltage of 1000V, a continuous drain current of 7A, and a low on-resistance of 1.6 ohms. It is designed for use in high voltage applications such as power supplies, motor controls, and inverters. -
Pinout
The IXFP7N100P is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: the gate (G), drain (D), and source (S). The function of this transistor is to control high power levels in electronic circuits. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFP7N100P. IXYS is a power semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of power semiconductors, digital and analog integrated circuits, and RF power products for various applications, including power and energy management systems, environmental protection, aerospace, and telecommunications. -
Application Field
IXFP7N100P is a high-voltage power MOSFET that can be used in a variety of applications such as power supplies, motor control, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high voltage and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFP7N100P chip comes in a TO-220 package. It is in the form of a single MOSFET transistor with a size of approximately 10.4mm x 4.8mm x 9.0mm.
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