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NXP MRF6VP2600HR6
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: MRF6VP2600HR6
Datenblatt: MRF6VP2600HR6 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: NI-1230
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3405 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMMRF6VP2600HR6 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230
Funktionen
- High power output: Typically capable of delivering up to 600 Watts of peak output power.
- High efficiency: Designed to operate with high efficiency, allowing for better power utilization in RF amplifier applications.
- Broadband performance: Suitable for operation across a wide frequency range, typically covering frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
- Rugged construction: Designed to withstand high operating voltages and currents, with built-in protection features to ensure reliable operation in demanding RF power amplifier applications.
- Integrated ESD protection: Includes Electrostatic Discharge (ESD) protection features to safeguard against damage from static electricity.
Anwendung
- Wireless communication systems: Used in high-power RF amplifier stages of wireless communication systems, such as cellular base stations, repeaters, and wireless infrastructure equipment.
- Broadcast systems: Used in RF amplifiers for broadcasting applications, such as FM and TV transmitters.
- Industrial, scientific, and medical (ISM) applications: Used in RF amplifiers for ISM band applications, such as RF heating and plasma generation.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Case/Package | SOT | Mount | Screw |
| Number of Pins | 1230 | Weight | 13.155199 g |
| Current Rating | 10 µA | Drain to Source Breakdown Voltage | 110 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 110 V | Frequency | 225 MHz |
| Gain | 25 dB | Gate to Source Voltage (Vgs) | 10 V |
| Max Frequency | 500 MHz | Max Operating Temperature | 225 °C |
| Max Output Power | 125 W | Min Breakdown Voltage | 110 V |
| Min Operating Temperature | -65 °C | Number of Elements | 2 |
| Output Power | 125 W | Test Current | 2.6 A |
| Test Voltage | 50 V |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MRF6VP2600HR6 is a high-power radio frequency (RF) transistor chip designed for applications in the 2.45 GHz industrial, scientific, and medical (ISM) band. It offers high linearity and efficiency, making it suitable for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF power amplifiers. The chip is capable of delivering up to 2600 watts of power, making it ideal for high-power RF amplification needs.
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Features
The MRF6VP2600HR6 is a high-power RF power field-effect transistor (FET) designed for broadband commercial and industrial applications. It features up to 600 Watts of output power, excellent gain, and efficiency. It operates within the frequency range of 136 to 941 MHz and is suitable for high-power transmitter applications. -
Pinout
The MRF6VP2600HR6 is a RF power transistor with a pin count of 2. It is commonly used in high-power applications such as radio frequency amplifiers. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6VP2600HR6 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor company that designs and manufactures a wide range of products, including microcontrollers, processors, and integrated circuits. -
Application Field
The MRF6VP2600HR6 is a High Ruggedness N-Channel RF Power MOSFET designed for various applications in the L-Band radar, avionics, industrial, and scientific markets where high power and high reliability are required. -
Package
The MRF6VP2600HR6 chip has a package type of NI-1230-4. It is in a form factor of flanged ceramic package. The chip measures 39.62 mm x 39.62 mm x 11.68 mm in size.
Datenblatt PDF
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