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ON MUN5114T1G

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: MUN5114T1G

Datenblatt: MUN5114T1G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-70-3

Produktart: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.039 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MUN5114T1G Allgemeine Beschreibung

In summary, the MUN5114T1G product represents a significant advancement in transistor technology, providing a cost-effective and space-saving solution for biasing applications. The integration of resistors within the transistor package simplifies circuit design and improves overall system efficiency. With the MUN5114T1G digital transistor, engineers can achieve enhanced performance and functionality in their electronic designs while reducing system costs and board space requirements

mun5114t1g

Funktionen

  • Increased Bandwidth Capability
  • Smaller Form Factor
  • Easier Integration
  • Improved Noise Rejection
  • Flexible Design Options
  • Advanced Error Detection
mun5114t1g

Anwendung

ONSEMI

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active CAD Models
Compliance PbAHP Package Type SC-70-3 / SOT-323-3
Case Outline 419-04 MSL Type 1
MSL Temp (°C) 260 Container Type REEL
Container Qty. 3000 ON Target N
Polarity PNP IC Continuous (A) 0.1
V(BR)CEO Min (V) 50 hFE Min 80
R1 (kΩ) 10 R2 (kΩ) 47
R1/R2 Typ 0.213 Vi(off) Max (V) 0.5
Vi(on) Min (V) 1.4 Pricing ($/Unit) $0.0159
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS: Details Configuration: Single
Transistor Polarity: PNP Typical Input Resistor: 10 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.21 Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-323-3 DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Continuous Collector Current: 100 mA
Peak DC Collector Current: 100 mA Pd - Power Dissipation: 202 mW
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: MUN5114 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi DC Current Gain hFE Max: 80
Height: 0.85 mm Length: 2.1 mm
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: Transistors Width: 1.24 mm
Unit Weight: 0.000219 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • MUN5114T1G is a power transistor chip developed by ON Semiconductor. It is designed for medium power switching applications. This chip offers high voltage capability and transient performance, making it suitable for use in various industrial, consumer, and automotive applications. With its compact size and excellent thermal resistance, the MUN5114T1G chip provides efficient and reliable power switching solutions in a wide range of electronic devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of MUN5114T1G chip include MMBT5114LT1G, PZTA11T1G, SS8550D, and BC847CMTF.
  • Features

    The MUN5114T1G is a small signal transistor with high current gain. It is designed for amplification and switching applications, and it operates at low voltage levels. The device has a low collector-emitter saturation voltage, making it suitable for low power consumption applications.
  • Pinout

    The MUN5114T1G is a dual NPN/PNP resistor-equipped transistor. It has a pin count of 6, with three pins on each side. The transistor functions as both a switch and an amplifier, allowing current to flow or be amplified depending on the input.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MUN5114T1G is ON Semiconductor. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and sells a range of semiconductor components, including integrated circuits, power management products, and sensors for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The MUN5114T1G is a general-purpose transistor that can be used in a wide range of applications, including switching circuits, amplifier stages, and voltage regulation circuits. It can be used in electronic devices such as televisions, computers, and audio equipment to control current flow and amplify signals.
  • Package

    The MUN5114T1G chip has a SOT-23 package type, a transistor form, and a size of approximately 2.9mm x 1.3mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation MUN5114T1G PDF Herunterladen

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    onsemi

    Advanced Power Electronic Device Technology