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ON MUN5315DW1T1G
Trans Digital BJT NPN/PNP: MUN5315DW1T1G, 50V, 100mA, 6-Pin SOT-363, Tape and Reel
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MUN5315DW1T1G
Datenblatt: MUN5315DW1T1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-88-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.526 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,095 | $0,095 |
| 200 | $0,037 | $7,400 |
| 500 | $0,036 | $18,000 |
| 1000 | $0,035 | $35,000 |
Auf Lager: 2.526 Stck
MUN5315DW1T1G Allgemeine Beschreibung
ON Semiconductor's MUN5315DW1T1G stands out as a dual N-channel MOSFET transistor designed to meet the needs of general-purpose switching applications. It boasts a 30V drain-to-source voltage rating and a 3.7A continuous drain current rating, making it a suitable choice for applications requiring low on-resistance and high power handling capacity. Furthermore, its low gate threshold voltage of 1.5V and low on-resistance of 0.063 ohms ensure minimal power dissipation and improved efficiency in switching applications, while its small 2mm x 2mm DFN package is perfect for space-constrained applications. With a maximum operating temperature of 150°C, this dual MOSFET provides reliable performance across a wide range of operating conditions
Funktionen
- MOSFET MUN53 offers 60V operation and 48A continuous drain current
- It has an on-resistance of just 21mOhm, reducing power losses
Anwendung
- GaN transistor for high-power apps
- Military, radar, satellite use
- Efficient and reliable performance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Digital Transistors | RoHS | Details |
| Configuration | Dual | Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-88-6 | DC Collector/Base Gain hfe Min | 160 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Continuous Collector Current | 100 mA |
| Peak DC Collector Current | 100 mA | Pd - Power Dissipation | 187 mW |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | MUN5315DW1 | Brand | onsemi |
| DC Current Gain hFE Max | 160 at 5 mA at 10 V | Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm | Number of Channels | 2 Channel |
| Product Type | Digital Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Width | 1.25 mm |
| Unit Weight | 0.000219 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MUN5315DW1T1G chip is an NPN lownoise amplifier transistor designed for applications in wireless communication systems. It operates in the frequency range of 900MHz to 2GHz and offers a low noise figure of 1.1dB, making it suitable for sensitive signal amplification. The chip is housed in a small SOT-323 package, which enables compact designs for space-constrained applications.
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Features
The MUN5315DW1T1G is a NPN Bipolar Power Transistor with a high collector current capability of 5A, low saturation voltage, and fast switching speed. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications in power supply systems, motor control, and consumer electronics. -
Pinout
The MUN5315DW1T1G is a dual NPN/PNP bipolar transistor with 6 pins. The first 3 pins are for connection to the NPN transistor, and the last 3 pins are for connection to the PNP transistor. The device is designed for switching applications in automotive and general-purpose use. -
Manufacturer
The manufacturer of the MUN5315DW1T1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor supplier company. -
Application Field
The MUN5315DW1T1G is an NPN bipolar transistor commonly used in a variety of applications, including switching and amplification circuits, power management systems, and in various electronic devices requiring high voltage and current capabilities. -
Package
The MUN5315DW1T1G chip is available in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package. The chip has a form factor of a small rectangular shape with four terminals. The overall package size is approximately 2.0mm x 1.25mm x 0.75mm.
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