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ON MUN5336DW1T1G
Bipolar Digital Transistor Complementary NPN+PNP BRT
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MUN5336DW1T1G
Datenblatt: MUN5336DW1T1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-88-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.946 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,094 | $0,094 |
| 200 | $0,036 | $7,200 |
| 500 | $0,035 | $17,500 |
| 1000 | $0,034 | $34,000 |
Auf Lager: 2.946 Stck
MUN5336DW1T1G Allgemeine Beschreibung
Say goodbye to complex external resistor bias networks - the MUN5336DW1T1G product is here to revolutionize the way you work with digital transistors. Designed with efficiency in mind, our Bias Resistor Transistor (BRT) features a single transistor paired with a monolithic bias network that incorporates both a series base resistor and a base-emitter resistor. This integration not only streamlines your design process but also offers cost savings and space optimization for your projects
Funktionen
- Simplifies User Interface
- Streamlined Navigation Process
- Faster Search Functionality
- Improved Customer Experience
- Reduced Learning Curve
Anwendung
ONSEMISpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | Case Outline | 419B-02 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Polarity | Complementary |
| IC Continuous (A) | 0.1 | V(BR)CEO Min (V) | 50 |
| hFE Min | 80 | R1 (kΩ) | 100 |
| R2 (kΩ) | 100 | R1/R2 Typ | 1 |
| Vi(off) Max (V) | 0.5 | Vi(on) Min (V) | 3 |
| Pricing ($/Unit) | $0.0352Sample |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MUN5336DW1T1G chip is a high-performance power MOSFET designed for various applications, including power management and conversion, motor drives, and load switches. It offers low on-resistance, low gate charge, and fast switching characteristics, making it suitable for efficient power delivery. The chip's compact size and thermally enhanced package also contribute to its excellent performance in space-constrained applications.
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Features
MUN5336DW1T1G is a high-voltage, general-purpose switching transistor. Its features include low collector-emitter saturation voltage, high current gain, low collector current, and fast switching times. It is commonly used in power management applications, motor control circuits, and electronic ballasts. -
Pinout
The MUN5336DW1T1G is a dual NPN/PNP bipolar transistor. It comes in a DFN package with a 6-pin count. -
Manufacturer
The manufacturer of the MUN5336DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational corporation that specializes in manufacturing semiconductor products for various industries including automotive, communications, computing, consumer, industrial, and more. -
Application Field
The MUN5336DW1T1G is a power MOSFET designed for use in automotive applications. It is suitable for various applications such as power steering, ABS systems, and motor control. It offers high reliability, low on-resistance, and efficient power handling capabilities, making it ideal for automotive electronics. -
Package
The package type of the MUN5336DW1T1G chip is DFN (Dual Flat No-leads). Its form factor is Surface Mount. The chip size is 2mm x 2mm.
Datenblatt PDF
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