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$5000ON NTHD3101FT1G
P-Channel ChipFET™ Power MOSFET and Schottky Diode -20V -4.4A 80mΩ
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTHD3101FT1G
Datenblatt: NTHD3101FT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: ChipFET-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.546 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTHD3101FT1G Allgemeine Beschreibung
Meet the NTHD3101FT1G, a high-performance P-channel MOSFET designed for precision power management in demanding applications. With a continuous drain current rating of -3.2A and a maximum drain-source voltage of -20V, this MOSFET offers exceptional efficiency and reliability for your circuit designs. Its low on-resistance of 0.064ohm and threshold voltage of -1.5V ensure accurate control of current flow, while the chipFET-8 package style with 8 pins simplifies integration into your PCB layout. Operating at temperatures up to 150°C, the NTHD3101FT1G can withstand harsh environmental conditions with ease. Choose this automotive-qualified MOSFET for dependable performance and long-term durability in your electronic systems
Funktionen
- This device features high speed and low noise.
- It offers fast switching times and high efficiency.
- NTHD3 101FT 1G is suitable for high power applications.
- The MOSFET has a high current rating and low RDS(on).
Anwendung
- Energy-efficient solutions
- High-speed switching technology
- Integrated circuit design
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | ChipFET-8 |
| Case Outline | 1206A-03 | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 3000 | ON Target | N |
| Channel Polarity | P-Channel | Configuration | with Schottky Diode |
| V(BR)DSS Min (V) | -20 | VGS Max (V) | 8 |
| VGS(th) Max (V) | 1.5 | ID Max (A) | 3.2 |
| PD Max (W) | 1.1 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 85 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 64 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | - |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 8.6 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 7.4 |
| Ciss Typ (pF) | 680 | Pricing ($/Unit) | Price N/A |
| Case/Package | SMD/SMT | Contact Plating | Tin |
| Number of Pins | 8 | Weight | 4.535924 g |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.2 A | Current Rating | -3.2 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -20 V | Drain to Source Resistance | 64 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Fall Time | 12.4 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 8 V | Input Capacitance | 680 pF |
| Max Operating Temperature | 150 °C | Max Power Dissipation | 1.1 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C | Nominal Vgs | -450 mV |
| Number of Elements | 1 | Packaging | Tape and Reel |
| Power Dissipation | 1.1 W | Rds On Max | 80 mΩ |
| Resistance | 64 MΩ | Rise Time | 11.7 ns |
| Schedule B | 8541290080 | Threshold Voltage | -1.5 V |
| Turn-Off Delay Time | 16 ns | Turn-On Delay Time | 5.8 ns |
| Voltage Rating (DC) | -20 V | Height | 1.05 mm |
| Length | 3.05 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTHD3101FT1G is a dual N-channel, high-speed power MOSFET chip designed for high-speed switching applications in power management and control circuits. It features a low gate charge and fast switching speed, making it ideal for use in power supplies, motor controls, and lighting applications.
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Equivalent
Some equivalent products of NTHD3101FT1G chip include AON6504, BUK7Y20-40E, and SUP53P06-20. These chips are also MOSFET transistors with similar specifications including voltage and current ratings. It is recommended to consult the datasheets of these chips for more detailed information and to ensure compatibility with your specific application. -
Features
NTHD3101FT1G is a high-speed, low input current diode with low capacitance and a low forward voltage drop. It is suitable for high-speed switching applications and has a unique, ultra-low profile packaging design for space-constrained applications. -
Pinout
The NTHD3101FT1G is a dual N-channel power MOSFET with a pin count of 6. Pin functions include Gate (1 and 4), Drain (3 and 6), and Source (2 and 5). This device is commonly used in high current switching applications. -
Manufacturer
The NTHD3101FT1G is manufactured by ON Semiconductor, which is a leading supplier of power management and analog semiconductor solutions. ON Semiconductor is a multinational company that provides a wide range of products for automotive, industrial, and consumer applications. They specialize in designing and manufacturing high-performance components for various industries worldwide. -
Application Field
The NTHD3101FT1G is commonly used in applications involving high-speed switching such as data communication, optical networking, and radar systems. Its low on-state resistance, low gate charge, and high breakdown voltage make it ideal for power management and protection circuits in these systems. -
Package
The NTHD3101FT1G chip is housed in a surface-mount DPAK package with a TO-252 form, measuring approximately 6.6mm x 6.2mm.
Datenblatt PDF
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I was blown away by the quality of these electronic components.