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ON NTJD4158CT1G

MOSFETs- Power and Small Signal PFET 20V .88A 1OHM

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: NTJD4158CT1G

Datenblatt: NTJD4158CT1G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-70-6

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.921 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTJD4158CT1G Allgemeine Beschreibung

Whether you are designing circuitry for consumer electronics, industrial machinery, or telecommunications equipment, the NTJD4158CT1G MOSFET transistor provides the performance and reliability you need. Its complemented N and P channel configuration, along with its low on-resistance and high power dissipation capabilities, make it a versatile and efficient component for a wide range of applications. Consider incorporating the NTJD4158CT1G into your next design to benefit from its compact size, moderate power handling, and reliable operation. With its MSL 1 - Unlimited moisture sensitivity rating and compliance with SVHC regulations, this transistor is a safe and dependable choice for your projects

Funktionen

  • Low Noise and EMI Immunity
  • High Temperature Operating Capability
  • Wide Input Voltage Range and Overvoltage Protection
  • Soft Startup and Shutdown Control for Low Inrush Current
  • Economical Design with High Reliability
  • SMT Package for Easy Mounting and Handling

Anwendung

  • Low Power Consumption
  • Short Circuit Detection
  • Thermal Management

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid NTJD4158CT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD Package Description SC-88, SC-70, 6 PIN
Pin Count 6 Manufacturer Package Code 419B-02
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Factory Lead Time 51 Weeks
Samacsys Manufacturer onsemi Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 0.25 A
Drain-source On Resistance-Max 2.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 12 pF JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.27 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON feature-category Small Signal
feature-material feature-process-technology TMOS
feature-configuration Dual feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type P|N feature-number-of-elements-per-chip 2
feature-maximum-drain-source-voltage-v 20@P Channel|30@N Channel feature-maximum-gate-source-voltage-v ±12@P Channel|±20@N Channel
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 1.5 feature-maximum-continuous-drain-current-a 0.88@P Channel|0.25@N Channel
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]@P Channel|[email protected]@N Channel feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected]@P Channel|0.9@5V@N Channel
feature-typical-gate-charge-10v-nc feature-typical-input-capacitance-vds-pf 155@20V@P Channel|20@5V@N Channel
feature-typical-output-capacitance-pf 25@P Channel|19@N Channel feature-maximum-power-dissipation-mw 270
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 6 feature-supplier-package SC-88
feature-standard-package-name1 SOT feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection Yes feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc No
feature-svhc-exceeds-threshold No

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • NTJD4158CT1G is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high drain current capability, and low gate charge. The chip is suitable for various power management and voltage regulation applications in electronic devices.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the NTJD4158CT1G chip include the NDT3055L, NDF6N40ZG, and NTMFS4C05N. These are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, making them suitable alternatives for various applications.
  • Features

    NTJD4158CT1G is a Small Signal Field-Effect Transistor (FET) with a low ON resistance, high current handling capability, and high input impedance. It is designed for applications requiring high power and efficiency, such as switching circuits and low noise amplifiers. Its compact size and high performance make it ideal for use in a wide range of electronic devices.
  • Pinout

    The NTJD4158CT1G is a P-channel MOSFET transistor with a pin count of 3. The gate (G) pin controls the flow of current between the source (S) and drain (D) pins. The drain pin is usually connected to the positive voltage source, while the source pin is connected to the load or ground.
  • Manufacturer

    NTJD4158CT1G is manufactured by ON Semiconductor Corporation. ON Semiconductor Corporation is a leading supplier of semiconductor-based solutions for a variety of electronic devices and industries, including automotive, industrial, and communications. The company specializes in providing power management, analog, and sensor products to help customers design and manufacture innovative products.
  • Application Field

    NTJD4158CT1G is commonly used in applications such as load switch, power management, and voltage regulation in various electronic devices like smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It is also used in power distribution systems, battery management, and voltage detection circuits due to its low on-resistance and high current-carrying capability.
  • Package

    The NTJD4158CT1G chip is available in a DPAK (TO-252) package, with a form of surface mount, and a size of 6.6mm x 6.6mm x 4.4mm.

Datenblatt PDF

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