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ON NTMFS4C029NT1G
N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTMFS4C029NT1G
Datenblatt: NTMFS4C029NT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TDFN-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.262 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,326 | $1,630 |
| 50 | $0,268 | $13,400 |
| 150 | $0,243 | $36,450 |
| 1500 | $0,211 | $316,500 |
| 3000 | $0,197 | $591,000 |
| 4500 | $0,189 | $850,500 |
Auf Lager: 2.262 Stck
NTMFS4C029NT1G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Funktionen
- Ultra-Low On-State Resistance
- Compact and Highly Efficient Design
- Excellent Thermal Performance Guarantee
- Fast Switching Speed for High-Power Applications
- Lithium-Ion Compatible and AEC-Q100 Qualified
- Robust ESD Protection for Longer Lifespan
Anwendung
- Smart Power Distribution
- Flexible Power Options
- Integrated Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NTMFS4C029NT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 67 Weeks |
| Date Of Intro | 2016-08-08 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 31 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 8.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0058 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 23.6 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 132 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | ||
| feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 30 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2.2 | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 15 |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 5.88@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected]|18.6@10V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | 18.6 | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 987@15V |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 5600 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 5 | feature-supplier-package | SO-FL EP |
| feature-standard-package-name1 | DFN | feature-cecc-qualified | |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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NTMFS4C029NT1G is a Power M Field-Effect Transistor (FET) chip from ON Semiconductor that is often used in power management applications. It offers low on-resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in high-efficiency power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.
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Equivalent
The equivalent products of NTMFS4C029NT1G chip are: 1. IRF7807D1PBF 2. FDS8958A 3. FDS6912A 4. BSC0906N15NS3G 5. NTMFS4C2810N 6. FDB83N15TM These chips are all power MOSFETs with similar specifications and features as the NTMFS4C029NT1G. -
Features
NTMFS4C029NT1G is a Power MOSFET with a low ON-resistance, high switching performance, and low gate charge. It also features a small footprint and a high current capability, making it suitable for power management applications in space-constrained designs. -
Pinout
The NTMFS4C029NT1G is a MOSFET with a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET used for high-speed switching applications in power supplies and DC-DC converters. The functions of the pins are Gate (G), Drain (D), Source (S), and various other connections for optimal performance. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C029NT1G is ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor specializes in designing and manufacturing power management and digital signal processing products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The NTMFS4C029NT1G is typically used in power management applications such as voltage regulation, load switches, motor control, and battery charging. It offers low on-state resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it suitable for a wide range of power electronics designs. -
Package
The NTMFS4C029NT1G chip is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) and comes in a surface mount package. It has a form factor of 5mm x 6mm and a size of 8-pin Dual Asymmetric Leadless Package (DALP).
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