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$5000ON NTTFS012N10MDTAG
N-Channel 100 V 9.2A (Ta), 45A (Tc) 2.7W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTTFS012N10MDTAG
Datenblatt: NTTFS012N10MDTAG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: WDFN-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.530 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTTFS012N10MDTAG Allgemeine Beschreibung
The NTTFS012N10MDTAG represents a significant advancement in N-Channel MV MOSFET technology. By incorporating Shielded Gate technology and the PowerTrench® process, this MOSFET offers unmatched performance and efficiency in power management applications. With a focus on minimizing resistance and optimizing switching performance, it provides engineers with a reliable and high-performance solution for their projects
Funktionen
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on) = 14.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 15 A
- Max rDS(on) = 21 mΩ at VGS = 6 V, ID = 7.5 A
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Lowers switching noise/EMI
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
- Very Low RDS*Qoss
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Isolated DC-DC primary switches
- AC-DC Synchronous Rectification
- High Switching Frequency Synchronous Buck
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | WDFN-8 |
Case Outline | 511DY | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 1500 | ON Target | Y |
Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
V(BR)DSS Min (V) | 100 | VGS Max (V) | 20 |
VGS(th) Max (V) | 4 | ID Max (A) | 45 |
PD Max (W) | 62 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | ~NA~ |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | ~NA~ | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 14.4 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | ~NA~ | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 13 |
Ciss Typ (pF) | 965 | Pricing ($/Unit) | $0.5579 |
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | Shielded Gate MOS | feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 9.2 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 14.4@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 8@6V|13@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 13 |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 965@50V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 2700 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | ||
feature-supplier-package | feature-standard-package-name1 | ||
feature-cecc-qualified | feature-esd-protection | ||
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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