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Infineon SPP07N60S5

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: SPP07N60S5

Datenblatt: SPP07N60S5 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3641 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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SPP07N60S5 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.3A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Ptot Max:83W; Pulse Current Idm:14.6A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V

spp07n60s5

Funktionen

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R
  • DS(on)
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Id - Continuous Drain Current: 7.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 600 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 82 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolMOS Series: CoolMOS S5
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 20 ns
Height: 15.65 mm Length: 10 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 40 ns
Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 170 ns
Typical Turn-On Delay Time: 120 ns Width: 4.4 mm
Part # Aliases: SPP7N6S5XK SP000012115 SPP07N60S5HKSA1

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SPP07N60S5 chip is a power MOSFET transistor that is designed for high-voltage switching applications in power supplies and motor control systems. It features a low on-resistance and a high switching capability, making it suitable for use in high-power circuits. This chip is commonly used in a variety of industrial and consumer electronic devices.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products for the SPP07N60S5 chip. However, alternative options that offer similar functionalities and features are available from different manufacturers, such as the IRF840, IRFP260, and IRF1404.
  • Features

    The SPP07N60S5 is a high-voltage power MOSFET. Some of its features include a drain-source voltage rating of 650V, a continuous drain current of 7A, a low on-resistance of 0.4Ω, and a fast switching capability. It is designed for use in various applications such as power supplies, motor control, and inverters.
  • Pinout

    The SPP07N60S5 is a power transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: the drain (D), the source (S), and the gate (G). The drain is connected to the positive power supply, the source connects to the load, and the gate controls the transistor's conductivity.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SPP07N60S5. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in the production of power electronics, microcontrollers, and other integrated circuits.
  • Application Field

    The SPP07N60S5 is a power MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including motor control, power supplies, and inverters. It is particularly suitable for high-frequency applications due to its low internal capacitance and high switching speed capabilities.
  • Package

    The SPP07N60S5 chip is a silicon-based power MOSFET that comes in a TO-220 package. The package form is a transistor-outline with three pins, enabling easy integration into electronic circuits. The size of the TO-220 package is approximately 10.4mm x 15.5mm x 4.6mm (length x width x height).

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation SPP07N60S5 PDF Herunterladen

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