Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Infineon IPD25N06S4L-30
DPAK Packaged N-Channel MOSFET with 2+Tab Configuration
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPD25N06S4L-30
Datenblatt: IPD25N06S4L-30 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK (PG-TO252-3)
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3502 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,048 | $1,048 |
| 10 | $0,899 | $8,990 |
| 30 | $0,818 | $24,540 |
| 100 | $0,724 | $72,400 |
| 500 | $0,685 | $342,500 |
| 1000 | $0,666 | $666,000 |
In Stock:3502 PCS
IPD25N06S4L-30 Allgemeine Beschreibung
The IPD25N06S4L-30 is a Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high power applications. It has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current of 25A. The device has a low on-state resistance of 0.025 ohms, which helps to minimize power dissipation and increase efficiency in power electronics applications.The IPD25N06S4L-30 is built using a TrenchFET Gen IV technology, which offers improved performance in terms of efficiency, reliability, and thermal management. It also features a low gate charge, which allows for fast switching and reduced power losses.This MOSFET is housed in a TO-252 package, which provides excellent thermal conductivity and easy mounting on a printed circuit board. It is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for a variety of industrial and automotive applications.
Funktionen
- 25A, 60V Power MOSFET
- Low on-resistance
- Thermal resistance of 30°C/W
- High-speed switching
- Low gate charge
- Avalanche energy rated
- Robust and reliable design
- TO-252 package
- Designed for high power applications
- Suitable for use in motor control, power supplies, and inverters
Anwendung
- Electric vehicles
- Solar power systems
- Uninterruptible power supplies
- Industrial motor drives
- Power tools
- Telecommunication equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 92.0 A | RthJC max | 5.1 K/W |
| Ptot max | 29.0 W | Qualification | Automotive |
| Package | DPAK (PG-TO252-3) | VDS max | 60.0 V |
| RDS (on) max | 30.0 mΩ | VGS(th) max | 2.0 V |
| QG max | 12.5 nC | Polarity | N |
| ID max | 25.0 A | Technology | OptiMOS™-T2 |
| VGS(th) min | 1.2 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPD25N06S4L-30 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in electronic devices. It features a low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for applications that require high efficiency and reliability. The chip operates at a voltage of 30 volts and can handle a current of up to 25 amperes, making it ideal for power management purposes.
-
Equivalent
There are numerous equivalent products to the IPD25N06S4L-30 chip, including IRF540N, IRF540NPBF, IRF540NL, IRF540NLPBF, and IPD90N03S4L-05. -
Features
The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage rating of 60V, and a low on-resistance of 0.026 ohms. It offers fast switching speed, low gate charge, and is suitable for various types of power applications requiring high performance and reliability. -
Pinout
The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a pin count of 3. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, enabling power control. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPD25N06S4L-30. It is a multinational semiconductor company based in Germany. -
Application Field
The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, and lighting applications. Its high voltage and current ratings make it suitable for industrial and automotive applications. It offers low on-resistance and excellent switching performance, making it an ideal choice for high-power applications. -
Package
The IPD25N06S4L-30 chip comes in a D2PAK package.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
Empfehlen
-
![BSZ146N10LS5ATMA1]()
-
![BSZ096N10LS5ATMA1]()
-
![IRFB4410ZPBF]()
-
![BSC070N10NS5ATMA1]()
-
![ISC060N10NM6ATMA1]()
-
![IRFH5010TRPBF]()
Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
