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ON NTH4L020N120SC1
TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 milliohms, 1200 volts, M1
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NTH4L020N120SC1
Datenblatt: NTH4L020N120SC1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-4
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3076 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMNTH4L020N120SC1 Allgemeine Beschreibung
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Funktionen
- Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
- High Speed Switching and Low Capacitance
- 100% UIL Tested
- 1200V Rated
Anwendung
- PFC
- Boost Inverter
- Motor Drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 102 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 15 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.3 V | Qg - Gate Charge | 220 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 510 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | NTH4L020N120SC1 | Brand | onsemi |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.6 S | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 21 ns | Factory Pack Quantity | 450 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns | Typical Turn-On Delay Time | 21.6 ns |
| Unit Weight | 0.551987 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTH4L020N120SC1 chip is a semiconductor device used for power management applications. It is designed to efficiently control and regulate power flow in electronic devices. The chip features low power consumption, high switching frequency, and thermal protection capabilities. It is commonly used in various industries, including consumer electronics, automotive, aerospace, and telecommunications.
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Equivalent
The equivalent products of the NTH4L020N120SC1 chip are the BSC093N12NS3 and IPP042N12N3G chips. -
Features
The NTH4L020N120SC1 is a power MOSFET transistor. It has a maximum drain-source voltage rating of 120V, a maximum continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.012 ohms. It is designed for high efficiency and performance in various electronic applications. -
Pinout
The NTH4L020N120SC1 is a MOSFET power transistor with 1200V and 20A ratings. It has a TO-247AD package, which typically consists of 3 pins: gate, drain, and source. The specific pin configuration and function may vary depending on the manufacturer. -
Application Field
The NTH4L020N120SC1 is a silicon carbide MOSFET in a discrete package. It is designed for use in various applications including motor control, power supplies, renewable energy systems, industrial equipment, and electric vehicle charging systems. -
Package
The NTH4L020N120SC1 chip is in a surface-mount package with an LQFP32 form. The size of the chip is 7mm x 7mm.
Datenblatt PDF
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