Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

ON NTMFS4C022NT1G 48HRS

N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: NTMFS4C022NT1G

Datenblatt: NTMFS4C022NT1G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SO-8FL

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2805 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,779 $0,779
10 $0,647 $6,470
30 $0,582 $17,460
100 $0,517 $51,700
500 $0,446 $223,000
1500 $0,425 $637,500

In Stock:2805 PCS

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für NTMFS4C022NT1G oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

NTMFS4C022NT1G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Funktionen

  • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
NTMFS4C022NT1G

Anwendung

ONSEMI

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid NTMFS4C022NT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description SO-8FL, DFN5, 6 PIN Manufacturer Package Code 488AA
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 66 Weeks Date Of Intro 2016-06-01
Samacsys Manufacturer onsemi Avalanche Energy Rating (Eas) 549 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 136 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0024 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 67 pF JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 352 A Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology
feature-configuration Single Quad Drain Triple Source feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 30 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 2.2 feature-maximum-continuous-drain-current-a 30
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 1.7@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 45.2@10V|[email protected]
feature-typical-gate-charge-10v-nc 45.2 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 3071@15V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 3100
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 5 feature-supplier-package SO-FL EP
feature-standard-package-name1 DFN feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NTMFS4C022NT1G chip is a small-sized high-performance N-Channel Power MOSFET. It is designed to handle high power requirements efficiently and reliably. With low on-resistance and high current carrying capacity, it is suitable for various applications such as power supply circuits, motor control, and LED lighting. The chip is known for its compact size and high performance characteristics.
  • Equivalent

    Some of the equivalent products to the NTMFS4C022NT1G chip are the DMG2302UV-7, RJK0305DPB, and PSMN0R4-30YLD. These chips are also MOSFETs and provide similar features and specifications to the NTMFS4C022NT1G, making them suitable alternatives.
  • Features

    NTMFS4C022NT1G is a small-sized dual N-channel power MOSFET with low on-resistance and high current-handling capability. It is designed for use as a power switch in applications with low voltage and high energy efficiency requirements. The package is compatible with automatic placement equipment.
  • Pinout

    The NTMFS4C022NT1G is a MOSFET transistor with an SMD package. It has a pin count of 8, including the gate, drain, and source pins. The function of this MOSFET is to control the flow of current in electronic circuits, primarily in power management applications such as voltage regulators.
  • Manufacturer

    ON Semiconductor is the manufacturer of the NTMFS4C022NT1G. It is a semiconductor company that specializes in power and energy efficient solutions.
  • Application Field

    The NTMFS4C022NT1G is a power MOSFET commonly used in various applications such as switching regulators, motor control, and power management in electronic devices. It offers low ON resistance, high power density, and excellent thermal performance, making it suitable for a wide range of applications that require efficient power switching capabilities.
  • Package

    The NTMFS4C022NT1G chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation NTMFS4C022NT1G PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...