Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
ON NTMFS4C302NT1G
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTMFS4C302NT1G
Datenblatt: NTMFS4C302NT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SO-FL EP
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2871 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,972 | $0,972 |
| 10 | $0,773 | $7,730 |
| 30 | $0,663 | $19,890 |
| 100 | $0,540 | $54,000 |
| 500 | $0,420 | $210,000 |
| 1500 | $0,394 | $591,000 |
In Stock:2871 PCS
NTMFS4C302NT1G Allgemeine Beschreibung
The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.
Funktionen
- Small Footprint (5 x 6 mm)
- Low RDS(on)
- Low QG and Capacitance
- RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
| Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 135 S |
| Fall Time: | 11 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 19 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Tags | NTMFS4C3, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM |
| Source Content uid | NTMFS4C302NT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 66 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 186 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 41 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0017 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F5 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 96 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 388 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET chip designed for fast switching applications in power management circuits. It offers a low ON-resistance and low gate charge, resulting in improved efficiency and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, to enhance power conversion and control capabilities.
-
Features
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET that offers a low on-resistance and fast switching capability. It is capable of handling high current levels while maintaining low power dissipation. The device is designed for various applications, including power management and conversion circuits, such as voltage regulator modules, DC-DC converters, and synchronous rectification. -
Pinout
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications and has a maximum drain current of 72A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C302NT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that develops and manufactures a wide range of integrated circuits and discrete devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NTMFS4C302NT1G is a high-performance power MOSFET that can be used in various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switches. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require reliable power management and control. -
Package
The NTMFS4C302NT1G chip has a package type of DFN (Dual Flat No-Lead), form of SON (Small Outline No-Lead), and size of 3mm x 3mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
Ovaga's selection of components is unmatched. Ordering is always easy and painless.