Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

ON NTR1P02LT1G

P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: NTR1P02LT1G

Datenblatt: NTR1P02LT1G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2942 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für NTR1P02LT1G oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

NTR1P02LT1G Allgemeine Beschreibung

These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) ensure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications of these P-Channel Small Signal MOSFETs are dc-dc converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

ntr1p02lt1g

Funktionen

  • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
  • Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space

Anwendung

  • DC-DC Converters
  • Power Management in Portable and Battery Powered Products

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Source Content uid NTR1P02LT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code SOT-23 (TO-236) 3 LEAD Package Description HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
Pin Count 3 Manufacturer Package Code 318-08
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 61 Weeks Samacsys Manufacturer onsemi
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 1.3 A Drain-source On Resistance-Max 0.22 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology feature-configuration Single
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type P
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 20
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±12 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 1.25
feature-maximum-continuous-drain-current-a 1.3 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 5.5@4V feature-typical-gate-charge-10v-nc
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 225@5V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 400 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 3
feature-supplier-package SOT-23 feature-standard-package-name1 SOT
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc No

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NTR1P02LT1G chip is a power MOSFET transistor developed by ON Semiconductor. It is designed to handle high voltage and current levels, making it suitable for various power applications, such as power supplies, motor controls, and lighting systems. The chip features low on-resistance, low gate charge, and fast switching capabilities, providing efficient and reliable performance in power management circuits.
  • Features

    NTR1P02LT1G is a small signal MOSFET with low threshold voltage and low on-resistance. It has a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications. It can operate at low voltages and offer a high-speed performance, making it appropriate for various low-power circuit designs.
  • Pinout

    The NTR1P02LT1G is a voltage regulator diode with a SOT-23 package. It has 3 pins: anode, cathode, and power supply. Its function is to regulate and stabilize the voltage between the anode and cathode.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTR1P02LT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor company that designs, manufactures, and sells a wide range of integrated circuits and other semiconductor-based solutions for various industries, including automotive, communications, computing, consumer, industrial, and medical sectors.
  • Application Field

    The NTR1P02LT1G is a NPN transistor commonly used in various low power applications such as amplifiers, switches, and control circuits. It can be employed in electronic devices like radios, televisions, computers, and other consumer electronics.
  • Package

    The NTR1P02LT1G chip is available in a SOT-23 package.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation NTR1P02LT1G PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...