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$5000ON 2SA2040-E
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 8 A 330MHz 1 W Through Hole TP
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Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: 2SA2040-E
Datenblatt: 2SA2040-E Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-64
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.976 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2SA2040-E Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 8 A 330MHz 1 W Through Hole TP
Funktionen
- Adoption of FBET and MBIT processes
- Large current capacitance
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- High-speed switching
- High allowable power dissipation
Anwendung
- DC-DC converter, Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS: | Y | Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | SC-64-3 | Transistor Polarity: | PNP |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | - 50 V |
Collector- Base Voltage VCBO: | - 50 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | - 6 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | - 0.23 V | Maximum DC Collector Current: | - 11 A |
Gain Bandwidth Product fT: | 290 MHz | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | 2SA2040 |
DC Current Gain hFE Max: | 560 | Packaging: | Bulk |
Brand: | ON Semiconductor | Continuous Collector Current: | - 8 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 | Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity: | 500 |
Subcategory: | Transistors | Unit Weight: | 0.011517 oz |
Tags | 2SA2040, 2SA204, 2SA20, 2SA2, 2SA |
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