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$5000ON NTTFSS1D1N02P1E
High-performance N-Channel power MOSFET for demanding applications
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NTTFSS1D1N02P1E
Datenblatt: NTTFSS1D1N02P1E Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: WDFN-9
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.222 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTTFSS1D1N02P1E Allgemeine Beschreibung
Power MOSFET, Single, N-Channel, 25V/0.85mΩ, 228A, WDFN9 3x3, Source Down
Funktionen
- Rapidly Recyclable Materials Used
- Excellent Thermal Shock Resistance
- Silicon-controlled Rectifier Design
Anwendung
- LED Drivers
- Solar Panels
- Wind Turbines
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-9 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 264 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 uOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 16 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Series: | NTTFSS1D1N02P1E |
| Packaging: | Cut Tape | Brand: | onsemi |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 5.1 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 146 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 3.4 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 34.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.8 ns | Pin Count | 12 |
| Package Category | Other | Released Date | Dec 2, 2022 |
| Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
Versand
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTTFSS1D1N02P1E chip is a high-performance integrated circuit commonly used in electronic devices. it offers advanced functionality and features, including fast processing speed, low power consumption, and superior connectivity. the chip is designed to enhance overall system performance and deliver improved user experiences in various applications such as smartphones, tablets, and wearables.
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Pinout
The NTTFSS1D1N02P1E is a surface mount dual n-channel power mosfet transistor. it has a 6-pin count and provides a high-speed switching capability with low on-resistance. this device is commonly used in power management and switching applications. -
Application Field
The NTTFSS1D1N02P1E is a power mosfet transistor. it can be used in various applications such as power management, motor control, battery charging, and amplifier circuits, among others. its high current and voltage capabilities make it suitable for use in demanding industrial, automotive, and consumer electronic devices. -
Package
The package type of the NTTFSS1D1N02P1E chip is bga (ball grid array). the form is smd (surface mount device), and the size is typically 1.0mm x 0.6mm.
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