ON FQA8N100C
Maximum voltage rating: 1000V
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FQA8N100C
Datenblatt: FQA8N100C Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3PN-3
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3138 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFQA8N100C Allgemeine Beschreibung
MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Di
Funktionen
- 8A, 1000V, RDS(on) = 1.45Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4A
- Low gate charge ( Typ. 53nC)
- Low Crss ( Typ. 16pF)
- 100% avalanche tested
Anwendung
- Uninterruptible Power Supply
- Other Industrial
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV | Id - Continuous Drain Current | 8 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.45 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 70 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 225 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | QFET | Series | FQA8N100C |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 80 ns | Forward Transconductance - Min | 8 S |
Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 95 ns |
Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 122 ns | Typical Turn-On Delay Time | 50 ns |
Width | 5 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FQA8N100C is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance and is capable of handling high current levels. The chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
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Features
FQA8N100C is a high-voltage N-channel MOSFET with a maximum drain current of 8A, a breakdown voltage of 1000V, and a low on-resistance of 0.6Ω. It is designed for high-power switch mode applications, featuring a fast switching speed, high ruggedness, and low gate charge. -
Pinout
The FQA8N100C is a power MOSFET with a TO-3P package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQA8N100C is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, develops, and manufactures semiconductor devices, including power and discrete products, as well as analog and mixed-signal integrated circuits. -
Application Field
The FQA8N100C is a power MOSFET designed for high current, high-speed switching applications. It finds application in various areas such as motor control, power supplies, lighting systems, and automotive systems where efficient power handling and fast switching are required. -
Package
The FQA8N100C chip comes in a TO-247 package type, with a Through Hole mounting form and a size of approximately 15.75mm x 5.21mm.
Datenblatt PDF
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