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ON FQA8N100C

Maximum voltage rating: 1000V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FQA8N100C

Datenblatt: FQA8N100C Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3PN-3

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3138 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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FQA8N100C Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Di

Funktionen

  • 8A, 1000V, RDS(on) = 1.45Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4A
  • Low gate charge ( Typ. 53nC)
  • Low Crss ( Typ. 16pF)
  • 100% avalanche tested

Anwendung

  • Uninterruptible Power Supply
  • Other Industrial

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3PN-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1 kV Id - Continuous Drain Current 8 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.45 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 70 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 225 W Channel Mode Enhancement
Tradename QFET Series FQA8N100C
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 80 ns Forward Transconductance - Min 8 S
Height 20.1 mm Length 16.2 mm
Product Type MOSFET Rise Time 95 ns
Factory Pack Quantity 450 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 122 ns Typical Turn-On Delay Time 50 ns
Width 5 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FQA8N100C is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance and is capable of handling high current levels. The chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
  • Features

    FQA8N100C is a high-voltage N-channel MOSFET with a maximum drain current of 8A, a breakdown voltage of 1000V, and a low on-resistance of 0.6Ω. It is designed for high-power switch mode applications, featuring a fast switching speed, high ruggedness, and low gate charge.
  • Pinout

    The FQA8N100C is a power MOSFET with a TO-3P package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FQA8N100C is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, develops, and manufactures semiconductor devices, including power and discrete products, as well as analog and mixed-signal integrated circuits.
  • Application Field

    The FQA8N100C is a power MOSFET designed for high current, high-speed switching applications. It finds application in various areas such as motor control, power supplies, lighting systems, and automotive systems where efficient power handling and fast switching are required.
  • Package

    The FQA8N100C chip comes in a TO-247 package type, with a Through Hole mounting form and a size of approximately 15.75mm x 5.21mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FQA8N100C PDF Herunterladen

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